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标题:onsemi安森美MGP7N60ED芯片IGBT,10A,600V,N-CHANNEL的技术与应用介绍 onsemi安森美公司以其卓越的IGBT(绝缘栅双极晶体管)技术而闻名于世,MGP7N60ED是其一款高性能的N-CHANNEL IGBT芯片,具有10A,600V的规格。这款芯片在许多领域中都有广泛的应用,如电力转换、电机控制、电动车充电桩以及太阳能逆变器等。 MGP7N60ED的特点在于其出色的开关速度和热效率。其低导通电阻和饱和电压使其在高压、高频的电源转换中表现出色。此外,其高
标题:onsemi安森美NGB8206NSL3芯片IGBT技术与应用详解 onsemi安森美NGB8206NSL3芯片IGBT是一款高性能的N-CHANNEL IGBT,具有20A的电流容量和390V的额定电压。这款芯片在许多电子设备中发挥着关键作用,如逆变器、电源转换器和电机驱动器等。 技术特点上,NGB8206NSL3芯片IGBT具有出色的热性能和电气性能。其高电流能力使其能够处理大电流而不会过热,从而提高了系统的效率和可靠性。此外,其高电压能力使其适用于需要高压转换的设备。同时,其快速开
标题:onsemi品牌ESD7C3.3DT5G静电保护ESD芯片TVS二极管DIOD应用介绍 onsemi品牌ESD7C3.3DT5G静电保护ESD芯片是一款适用于5G技术应用的优质静电保护器件。此款芯片采用SOT723封装,具有高吸收电流能力,能在瞬间承受高电压冲击,从而有效保护电路免受静电和雷击等危害。 ESD7C3.3DT5G的主要技术特性如下: * 3.3V低工作电压,高吸收电流能力,快速响应速度; * 采用SOT723封装,易于安装; * 适用于各种微小电路,如通信、消费电子、工业控
标题:onsemi安森美MGP20N14CL芯片IGBT技术与应用详解 onsemi安森美MGP20N14CL芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),它具有20A的电流容量和135V的耐压水平,属于N-CHANNEL类型。这款芯片在电力电子领域中有着广泛的应用,尤其在变频器、电机驱动、UPS电源等高功率应用中表现优异。 技术特性上,MGP20N14CL的开关速度非常快,损耗低,开关频率高。这使得它在需要频繁开关的场合,如变频器中,可以降低噪音,提高效率。同时,其高耐压水平也使其在需要
标题:onsemi安森美MGP14N60E芯片IGBT:18A,600V,N-CHANNEL的技术与应用详解 onsemi安森美作为全球知名的半导体供应商,其MGP14N60E芯片IGBT以其出色的性能和广泛的应用领域,在业界享有盛誉。这款芯片具有18A的电流容量,工作电压高达600V,且为N-CHANNEL类型,使其在各种电子设备中发挥着重要的作用。 技术特点: 1. 高效能:MGP14N60E芯片IGBT具有优秀的开关性能和低导通电阻,能够有效地降低能源损耗,提高设备的效率。 2. 稳定性
标题:onsemi安森美MGP19N35CL芯片IGBT:技术与应用详解 onsemi安森美MGP19N35CL芯片IGBT是一款高性能的N-CHANNEL IGBT,适用于各种工业应用和电源转换场景。这款芯片的特点在于其强大的19A电流容量,高达380V的耐压,以及其在高温和高频率环境下的出色性能。 技术细节方面,MGP19N35CL采用了先进的工艺和设计,具有极低的导通电阻,使得芯片在运行时能高效地消耗更多的电能。同时,其快速开关特性使其在高频应用中表现出色,如逆变器、电源转换器等。此外,
标题:onsemi安森美MGP7N60E芯片IGBT,10A,600V,N-CHANNEL的技术与应用介绍 onsemi安森美作为全球知名的半导体公司,其MGP7N60E芯片IGBT以其出色的性能和广泛的应用领域,赢得了业界的广泛赞誉。这款芯片具有10A的电流容量和600V的电压规格,适用于各种电子设备中。 MGP7N60E芯片IGBT采用了先进的N-CHANNEL技术,具有高输入阻抗和快速的响应时间。这使得它能有效地传递电力,同时降低了损耗,提高了设备的效率。此外,该芯片还具有优良的开关特性
标题:onsemi安森美MGP4N60ED芯片IGBT,6A,600V,N-CHANNEL的技术与应用介绍 onsemi安森美MGP4N60ED芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有6A,600V的规格,适用于各种电子设备中。这款芯片具有出色的性能和广泛的应用领域。 技术特点: 1. 6A,600V的规格,适用于高电流和高电压的应用场景。 2. N-CHANNEL设计,使得芯片具有更快的开关速度和更低的导通电阻。 3. 采用了先进的工艺技术,具有更高的可靠性和更长的使用寿命。 应
标题:onsemi安森美SGB8206NSL3G芯片IGBT D2PAK 350V 20A的技术与应用介绍 onsemi安森美半导体是一家全球知名的半导体解决方案提供商,其SGB8206NSL3G芯片IGBT D2PAK 350V 20A是一种高效、可靠的功率半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。 SGB8206NSL3G芯片IGBT D2PAK 350V 20A采用先进的工艺技术,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其内部结构采用多个IGBT模块,能够承受较高的电压和电流,同时具有较高的开关速
标题:onsemi安森美TIG032TS-TL-H芯片:NCH IGBT 180A 400V 2.5V的技术与应用详解 onsemi安森美TIG032TS-TL-H芯片是一款高性能的NCH IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,具有180A的电流容量和400V的耐压。该芯片采用先进的半导体技术,具有高效、节能、环保等优点,广泛应用于各种电子设备中。 技术特点: 1. 高电流容量:TIG032TS-TL-H芯片的电流容量高达180A,能够满足大功率应用的需求。 2. 高耐压:芯片的耐压为400V,能