近期，大阪公立大学的研究团队成功利用金刚石为衬底，制作出了氮化镓（GaN）晶体管，其散热性能是使用碳化硅（SiC）衬底制造相同形状晶体管的两倍以上，有望应用于5G通信基站、气象雷达、卫星通信、微波加热、等离子体处理等领域，该研究成果已发表在“Small”杂志上。 随着半导体技术不断发展，功率密度和散热等问题日益凸显，业界试图通过新一代材料解决上述问题。 据悉，金刚石具备极强的导热性能，氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性，居于上述特性，以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。 在最新研究中，大阪公

在红外探测器的制造技术中，台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。而对于结构复杂的焦平面阵列来说，一个良好的刻蚀工艺不仅要求高的深宽比，还要达到高度各向异性和低损伤等目标，这给器件制造带来了巨大的挑战。刻蚀副产物在台面侧壁引入漏电流的表面通道，使得InAs/GaSb超晶格红外探测器的性能恶化，尤其是长波和甚长波的器件，由于具有更窄的带隙，受表面漏电流的影响更大。因此，探究刻蚀机理和优化刻蚀工艺就显得至关重要。 据麦姆斯咨询报道，近期，哈尔滨工业大学、中国科学院半导体研究所和中国科学院大学组成的科